2015年6月29日
富士電機(jī)株式會(huì)社
富士電機(jī)(中國(guó))有限公司
富士電機(jī)株式會(huì)社,富士電機(jī)(中國(guó))有限公司 ,即將擴(kuò)充裝載新一代功率半導(dǎo)體元件SiC(碳化硅)的混合模塊產(chǎn)品系列,并開始樣品出貨,特發(fā)通知。
1. 目的
與Si(硅)元件相比,SiC元件更容易實(shí)現(xiàn)高耐壓,且開關(guān)損耗小,所以在降低裝置電耗方面?zhèn)涫懿毮?,預(yù)計(jì)全球市場(chǎng)今后五年的年均增長(zhǎng)率※1將達(dá)到35%左右。
本次的出貨樣品是由使用SiC元件的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)和使用Si元件的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)構(gòu)成的混合模塊。產(chǎn)品系列從600V~1200V、乃至1700V,可廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)機(jī)械的節(jié)能和小型化。
※1 數(shù)據(jù)來(lái)源 : IHS 2014。自2014年起五年的年均增長(zhǎng)率。
?本模塊采用的SiC元件中運(yùn)用了本公司在自2012年度起參與“TPEC(筑波電力電子星座)”共同研究體后、與國(guó)立研究開發(fā)法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所共同研究的成果。
2. 產(chǎn)品特點(diǎn)
(1)降低電力轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗,有助于設(shè)備節(jié)能。
與以往的Si元件相比,可以大幅降低損耗,實(shí)現(xiàn)功率調(diào)節(jié)器的高效節(jié)能。就本公司生產(chǎn)的變頻器而言,設(shè)備總損耗較以往機(jī)型降低了約30%。
(2)大功率和高頻動(dòng)作,節(jié)省設(shè)備占地空間
與傳統(tǒng)的Si元件相比,產(chǎn)品的輸出功率最大提高至1.5倍(1700V產(chǎn)品)。在維持裝置原有大小的同時(shí),擴(kuò)大了容量。比如本公司生產(chǎn)的變頻器機(jī)容量從315kW擴(kuò)大至450kW,以此可以減少裝置的設(shè)置臺(tái)數(shù)。
產(chǎn)品的動(dòng)作頻率最大可提升至2倍(1700V產(chǎn)品),且損耗保持不變。過濾器等周邊元器件也因此可實(shí)現(xiàn)小型化。
憑借上述優(yōu)點(diǎn),產(chǎn)品可節(jié)約設(shè)備的占地空間。
(3)產(chǎn)品齊全,應(yīng)用廣泛
產(chǎn)品系列得到擴(kuò)充與完善,包括600V、1200V和1700V等從小到大各種不同容量的產(chǎn)品。
可廣泛運(yùn)用于變頻器、伺服、不間斷電源裝置、功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)機(jī)械
3. 產(chǎn)品規(guī)格、出貨和銷售時(shí)期